奋力赶超台积电,三星电子计划 2022 年量产 3 纳米芯片
知闻
2020年11月19日
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据国外媒体报道,三星电子正在奋力赶超台积电,计划在 2022 年量产 3 纳米芯片。
三星电子高管 Park Jae-hong 最近在一次活动中表示,公司已定下目标,在 2022 年量产 3 纳米芯片。该高管透露,三星电子已在与主要合作方开发初步设计工具。
三星电子向其下一代芯片业务投入 1160 亿美元,其中包括为外部客户制造芯片。
三星电子领导人李在镕此前曾透露,该公司计划采用正在开发的最新 3 纳米全栅极 (gate-all-around,简称 GAA)工艺技术来制造尖端芯片,并提供给全球客户。
三星电子已开始大规模量产 5nm 芯片,并且正在研发 4nm 工艺。
在芯片代工业务领域,三星电子目前位列第二。排名第一的是台积电,去年市场占有率达 52%。
关于台积电和三星电子之间的竞争,台积电创始人张忠谋曾表示,三星电子是很厉害的对手,目前台积电暂时占优势,但台积电跟三星的战争绝对还没结束,台积电还没有赢。