三星量产512GB UFS 3.1手机闪存：写入速度达1.2GB/s，3倍于UFS 3.0

三星3月17日宣布开始量产512GB eUFS 3.1芯片，其连续写入速度超过1.2GB/s，是其前代产品写入速度的3倍。

据悉，新eUFS 3.1芯片的连续写入速度是SATA硬盘（540MB / s）的两倍以上，是 UHS-I microSD 卡（90MB / s）的十倍以上，其处理速度比市面上常见的 UFS 3.0 快 60%，拥有2,100MB/s的顺序读取速度以及100,000 IOPS（每秒输入/输出操作）和70,000 IOPS的随机读取速度和写入速度，此外还将提供256GB和128GB容量。

目前，三星位于平泽工厂的P1生产线已开始生产第六代V-NAND，同时位于中国西安的新X2生产线已开始生产第五代V-NAND。